uMCP存储(UFS-Based MCP)

我们的基于UFS的多芯片封装(uMCPs)利用超高速通用闪存(UFS)控制器,在小型化设计中提供高性能和低功耗.

+

Micron uMCP5

美光的uMCP5沙巴体育结算平台为高端手机带来了旗舰级的性能, 在紧凑的设计中提供无与伦比的效率和电池寿命. 美光uMCP5提供业界最快的存储和内存接口, 能够在不影响性能或功耗的情况下处理与5G相关的更繁重的工作负载.

释放高端智能手机的5G性能

世界正在迅速转向以5G为动力的移动网络, 在颠覆性技术的核心,哪一种技术将支持海量数据. 美光uMCP5允许智能手机以更高的速度和功率效率处理数据密集型5G数据工作负载.

基于uMCP4框架,uMCP5使用美光 LPDDR5 memory 优化5G网络,与LPDDR4相比,功率效率提高了近20%. 采用uMCP5的设备将支持最高达6的DRAM带宽.4gbps,比前几代LPDDR技术提高了50%. 美光的uMCP5也采用了最快的UFS 3.基于1的存储接口, 将顺序读取性能提高一倍,下载速度提高20%, compared to UFS 2.1.

主要性能特点

Internet portal

最大DRAM带宽可达6.4gbps,以实现全面的5G支持

黑色仪表盘图标

2倍的存储接口速度支持UFS 3.1,与UFS 2相比.1

黑色放大图标

几乎是离散内存解决方案的一半

黑色电源插头图标

LPDDR5比LPDDR4x节能近20%

黑色秒表图标

UFS 3.它的耗电量比其前身UFS 2少了近40%.1

续航能力提升66%,延长了智能手机的使用寿命

NAND Density

Select NAND Density
  • 128GB
  • 256GB
范围:128GB - 256GB
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • NAND Type
    UFS 3.1
  • Voltage
    1.8V
  • Package
    TFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
  • DRAM Type
    LPDDR5
  • NAND Type
    UFS 3.1
  • Voltage
    1.8V
  • Package
    LFBGA
  • Op. Temp.
    -25C to +85C
+